本報記者 趙琳

    3月4日，英唐智控發布公告稱，公司擬與CHANGYORKYUAN（以下簡稱“張遠”）、GTechSystemsGroupInc.，（以下簡稱“GTSGI”）簽署《合作協議》，在半導體投資、研發設計、生產制造等方面進行深度合作。

    合作協議主要包括GTSGI向公司控股重孫公司科富香港控股有限公司（以下簡稱“科富”）轉移其所獲得的目標公司PioneerMicroTechnologyCorporation（先鋒微技術有限公司，以下簡稱“MTC”）的獨家股權受讓權，由科富收購目標公司MTC，并承接GTSGI在MTC股權轉讓交易中的權利和義務。之后，張遠及GTSGI將協助公司收購上海芯石半導體股份有限公司（以下簡稱“上海芯石”）10-20%股份，收購價格不超過6000萬元人民幣，以及公司還將和張遠及GTSGI展開在中國選擇符合半導體產業發展的城市投資設立新公司的工程。

    通過上述深度合作，英唐智控將布局光電集成電路、無人駕駛傳感器領域和半導體設計領域。其投資設立半導體新公司，布局硅基、碳化硅為基礎的模擬電路、大功率器件等半導體芯片的生產領域。未來，英唐也將從研發設計及晶圓廠線形成功率半導體的一個產業鏈條。

    相關資料顯示，上海芯石主要產品為半導體分立器件芯片尤其是肖特基二極管芯片，其在該行業具備一定的核心競爭力。目前，上海芯石正在著手第三代半導體碳化硅肖特基的開發和市場布局，且碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）已經全面產出樣品并推向了市場，并計劃在2020年開始研發碳化硅MOS，此產品目前還無國產化產品量產。

    公開資料顯示，中國是全球最大的功率半導體消費地區，但整體自給率不足20%，而國際大廠逐漸轉型至工控/汽車電子領域，導致消費類功率產品供給減少。這為未來國內功率器件廠商帶來了新的機遇，有望實現中低壓率先替代，中高端逐步突破。

    中信證券指出，新一代SiC功率半導體產憑借其低功耗、長壽命、高頻率、體積小、質量輕等優勢，在EV、軌交、通信及光伏領域具備較強的替代潛力；隨著SiC器件成本不斷下降，未來有望在強化產品全生命周期成本優勢的基礎上，逐步實現初始投資優勢，長期發展空間巨大。

    英唐智控表示，未來將根據產品線和市場需求的增加，爭取在現有基礎上建立統一的研發中心、制定明確的研發規劃和培養分工明確的團隊來提升公司技術水平及開發能力。在現有上海芯石身后的研發技術和人才團隊幫助下，將有利于帶動英唐智控在5G的市場增長驅動下實現營收、毛利率、凈利率的不斷增長，以保持長期快速發展的戰略目標，成為全球領先的半導體技術增值服務商。

（編輯 孫倩）