在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。

    國際半導體產(chǎn)業(yè)降溫

    6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。

    據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計，5月全球半導體銷售額為331億美元，同比2018年同期減少14.6%，環(huán)比4月有所少量增長；而且相比去年同期，全球所有區(qū)域市場的半導體銷售均出現(xiàn)下降，其中美洲下降最多，達到27.9%，日本下降13.6%，中國下降9.8%，亞太其他地區(qū)下降12.6%。

    美國半導體行業(yè)協(xié)會總裁兼首席執(zhí)行官約翰·諾伊弗表示：“全球半導體銷售額今年5月沒有達到去年同月的銷售額，這是連續(xù)第五個月出現(xiàn)同比負增長。”今年存儲器可謂遭遇“寒冬”。其中DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）雖然位居半導體存儲領域市占率第一的地位，2017年迎來銷售環(huán)比大增，但今年情況發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

    TrendForce旗下內(nèi)存儲存研究已連續(xù)指出，受到美國禁用華為事件持續(xù)發(fā)酵，華為智能型手機以及服務器產(chǎn)品在未來的兩至三個季度可能將持續(xù)遭受嚴重的出貨阻礙，下半年DRAM產(chǎn)品的旺季需求將遭受沖擊，行業(yè)見底時間或延長。

    據(jù)預測，第三季DRAM價格展望跌幅由原先預估的10%將擴大至10%到15%。考慮國際存儲三家大廠的競爭態(tài)勢，加上DRAM制程技術(shù)已經(jīng)面臨物理極限，預估DRAM價格要跌破供貨商的生產(chǎn)總成本可能性極低，但是，中美貿(mào)易戰(zhàn)升溫恐使得今年下半年需求急凍，不確定性氛圍提高使得數(shù)據(jù)中心的資本支出放緩，在今年年底前，體質(zhì)較弱的DRAM供貨商恐怕將遭受庫存損失，財務報表可能轉(zhuǎn)虧；預計DRAM價格可能將到2020年有機會出現(xiàn)止跌回升。

    國際存儲巨頭的情況也不容樂觀，雖然占據(jù)了全球90%以上的DRAM市場份額，但營收普遍下滑。據(jù)統(tǒng)計，今年一季度，龍頭公司三星受到報價下跌影響，營收較上季下滑26.3%；而SK海力士的營收位出貨下滑約8%，第一季營收較上季衰退31.7%；美光營收也下滑了約三成。臺系廠商也不容樂觀。南亞科第一季營收位出貨下跌超過20%，營業(yè)利益率幾乎減半；力晶科技生產(chǎn)的標準型DRAM產(chǎn)品第一季出貨量上升，帶動營收逆勢成長5.7%，涵蓋DRAM代工業(yè)務，營收則下滑近15%。

    國內(nèi)企業(yè)逆勢擴展

    國金證券分析師樊志遠在研報中指出，今年一季度后，存儲器大廠處于高成本庫存，導致二季度、三季度運營成本高于市場預期；預計全球存儲器行業(yè)今年衰退30%～35%，牽動全球半導體衰退14%。

    在此背景下，國內(nèi)主要存儲方隊選擇了逆勢布局。本次紫光集團組建的DRAM事業(yè)部，紫光集團表示這標志著集團DRAM戰(zhàn)略正式起航，將進一步拓寬在存儲器領域的相關(guān)布局。人事配備上，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，高啟全擔任紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長等職位；高啟全現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO，有“臺灣存儲教父”之稱。

    經(jīng)過多年的發(fā)展，紫光集團在存儲器的設計制造領域已形成一定基礎，積累了從設計、生產(chǎn)、測試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。在DRAM領域，紫光旗下西安紫光國芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測修復DRAM存儲器產(chǎn)品；開發(fā)的存儲器芯片產(chǎn)品中有二十余款產(chǎn)品實現(xiàn)全球量產(chǎn)和銷售。

    另外，在3DNAND閃存領域，紫光旗下長江存儲成功研發(fā)并已小批量生產(chǎn)了32層3DNAND閃存芯片，其創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)，實現(xiàn)了3DNAND閃存芯片結(jié)構(gòu)的歷史性突破。紫光集團表示，基于西安紫光國芯和長江存儲的成功經(jīng)驗，集團正探索出一條存儲器設計制造的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。

    芯謀研究首席分析師顧文軍指出，相對而言，DRAM更加成熟、高度集中和更加“標準”的產(chǎn)業(yè)特性，做DRAM的難度要遠超NANDFlash。任何新進入者都面臨著技術(shù)來源、團隊、專業(yè)化運營和成本的幾大難題。目前來看，中國大陸做DRAM的幾家都沒有全面解決上述問題；晉華去年的被禁，就是一個警示。

    國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)原為三大陣營，分別是紫光集團旗下長江存儲，以及合肥長鑫與晉華集成。但是去年10月美國商務部以國家安全為由，對晉華集成實施出口管制，并列入出口管制“實體清單”。

    由兆易創(chuàng)新、合肥產(chǎn)投等投資的長鑫存儲，目前來看進展相對順利，預期最快將于今年底或明年初進入量產(chǎn)。據(jù)報道，長鑫存儲通過購買奇夢達專利部分解決了知識產(chǎn)權(quán)問題。

    對于如何避免類似晉華事件發(fā)生，集邦咨詢研究副總經(jīng)理郭祚榮向證券時報記者表示，只要保證技術(shù)來源沒問題，列入實體列表機率就低了；而無論是NAND還是DRAM，發(fā)展難度都不低，本輪逆勢擴張取決于國家是否支持。

    集邦咨詢指出，紫光并非首次計劃進軍DRAM產(chǎn)業(yè)，早在2014年期間紫光就曾表達出研發(fā)DRAM的決心，但當時為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立紫光發(fā)展NANDFlash的路線，DRAM研發(fā)之路無疾而終。

    此次紫光集團重返DRAM研發(fā)之路，除了晉華事件影響外，還有產(chǎn)業(yè)布局考慮。合肥長鑫5月在上海參加全球半導體聯(lián)盟存儲器論壇時，預計今年底量產(chǎn)8Gb的DRAM產(chǎn)品，但僅有一家正在進行的DRAM廠對中國自主開發(fā)DRAM產(chǎn)品的目標是不夠的。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技術(shù)，這部分預計可望借由其新任CEO的業(yè)界人脈進行補強。

    國產(chǎn)化機遇

    從政策方面，國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的重視可見一斑。6月14日晚間，證監(jiān)會同意科創(chuàng)板IPO注冊，華興源創(chuàng)、睿創(chuàng)微納兩家集成電路企業(yè)拔頭籌；另外，科創(chuàng)板申請企業(yè)中，還有專注于企業(yè)級光存儲解決方案的紫晶存儲，目前在接受科創(chuàng)板第三輪問詢。

    5月份，財政部、稅務總局發(fā)布公告有關(guān)企業(yè)所得稅政策中，集成電路企業(yè)獲扶持。

    資本市場也在孕育半導體國產(chǎn)化機遇。以太極實業(yè)為例，2018年6月傳聞落地，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（以下簡稱“大基金”）受讓控股股東6.17%股份，成為上市公司第二大股東。此后，太極實業(yè)屢次攬獲半導體工程承包訂單，包括“中國大陸半導體之父”張汝京所創(chuàng)辦的青島芯恩工程總承包訂單。

    除了建造，半導體關(guān)鍵材料、設備也存在機遇。據(jù)介紹，目前各類關(guān)鍵工藝設備國產(chǎn)化差異大，CMP、PVD、刻蝕、清洗設備、熱處理的國產(chǎn)化率處于10%～30%，而量測、光刻等設備全部依賴進口。

    郭祚榮向記者表示，隨著紫光進一步加碼存儲產(chǎn)業(yè)，對半導體設備國產(chǎn)化將會產(chǎn)生助益，關(guān)鍵在于國產(chǎn)設備能否滿足相關(guān)條件。

    國泰君安研報指出，長江存儲是目前對于國產(chǎn)設備最為友好的產(chǎn)線之一。2017年至2018年，長江存儲共采購了17批共計約2000臺設備。其中，中微公司供應刻蝕設備，盛美半導體和北方華創(chuàng)等提供清洗設備等。后續(xù)隨著產(chǎn)能爬坡，北方華創(chuàng)、中微公司等設備廠商有望加速實現(xiàn)供應。